Name: Rohm Semiconductor RT1C060UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RT1C060UNTR
Price: 0.2213 USD
Availability: InStock
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Rohm Semiconductor RT1C060UNTR

Artikelnummer:

RT1C060UNTR

Hersteller / Marke:

LAPIS Technology

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST

Datenblätte:

1.RT1C060UNTR.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Rohm Semiconductor RT1C060UNTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RT1C060UNTR.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-TSST
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (max)	650mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Ta)
Grundproduktnummer	RT1C060
RT1C060UNTR Einzelheiten PDF [English]	RT1C060UNTR PDF - EN.pdf

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